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英特尔硅光电子研究加速进行:未来将无处不在

CNET科技资讯网时间2009-06-18 15:58作者:CNET科技资讯网  
本文关键词:英特尔 硅光电子学 硅光电子 英特尔研究日

CNET科技资讯网 618 圣克拉拉报道(文/梁钦):今日,CNET科技资讯网记者在英特尔硅光电子实验室了解到,英特尔硅光电子相关研究取得进一步成果。

 

英特尔院士、光电子学技术实验室总监Mario Paniccia博士介绍,英特尔已经研制出了传输速率可以达到200Gb/s的集成硅光电子发射器,它是一颗集成硅光电子的测试芯片,共有8个通道,每个传输速率为25Gb/s,能够达到200Gb/s,未来路线图是要达到1Tb/s

 

英特尔硅光电子研究加速进行:未来将无处不在
图为英特尔院士、光电子学技术实验室总监Mario Paniccia博士介绍英特尔硅光电子研究进展

 

英特尔企业技术事业部光电子技术实验室高级研究员亢宜敏告诉CNET科技资讯网,硅光电子学可以应用于对带宽需求高的远程医疗和3D虚拟世界等未来数据密集型计算领域。要用硅器件来代替以往由昂贵的半导体制造的光电器件,对于IT产业是一大革命。

 

延伸阅读:

英特尔硅光电子学取得重大技术突破 或用于众核架构

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