或取代当前非易失性内存技术 Crossbar正式进军中国存储市场

CNET科技资讯网 3月23日 北京消息：阻变式存储器（RRAM）技术的领导者Crossbar公司日前宣布正式进军中国市场，并在上海设立新的办事处。

目前，Crossbar RRAM能够在邮票大小的芯片上实现太字节（terabyte）存储，而足够低的功耗可大规模运用于物联网，从而易于被定制到一系列应用中。从可穿戴应用的SoC嵌入式存储，到云数据中心的超高密度SSD。Crossbar RRAM技术被广泛视为极有可能取代当前非易失性内存技术的有力竞争者，潜在市场价值600亿美元。

Crossbar公司首席执行官George Minassian博士表示：“中国是电子行业发展最快的市场，亦是绝大多数产品的制造基地。凭借我们在中国深厚的风投实力和资源、新成立的本地办事处以及行业领先的技术，我们相信将在中国消费电子、企业、移动、工业和物联网等市场掀起新一轮电子创新浪潮。此外，我们近期与中芯国际已达成合作，将我们的嵌入式技术用于中芯国际40nm甚至更高工艺，有望使新的应用开发受益。”

通过集成更大的片上非易失性阻变式存储器（RRAM）到智能卡、机顶盒、IP相机和监视器等一系列应用，Crossbar的客户现正设计并推出低功耗、高安全性的解决方案。

Minassian博士还表示：“物联网和可穿戴设备市场需要节能、安全和低成本的微控制器。Crossbar RRAM技术能提供片上编程和数据存储的嵌入式内存模块，也可单独作为EEPROM内存，将是满足这些需求的理想解决方案。”

Crossbar技术首先由中国出生的卢伟（Dr. Wei D. Lu）博士研发，他也是Crossbar的首席科学家和联合创始人。卢博士拥有中国清华大学物理学士学位，以及德克萨斯州莱斯大学物理学博士学位。卢博士在RRAM领域积累了十二年的研究经验，他先作为哈佛大学的博士后研究员，然后被任命为密歇根大学教授从事这项研究。他是纳米结构和设备行业的领先专家，包括基于双端电阻开关设备的高密度内存和逻辑系统、神经元电路、半导体纳米线设备和低维系统中的电子输运。

Crossbar技术可在一个200平方毫米的芯片上存储数个TB的数据，能够将海量信息，例如250小时的高清电影，存储在比邮票还小的集成电路上，并进行回放。凭借简单的三层结构，堆叠性和CMOS兼容性，Crossbar能在最新的技术节点下将逻辑和存储集成到单芯片上，实现传统或其他非易失性内存技术无可比拟的存储容量。Crossbar拥有大容量和快速的优势，并将成为下一代企业和数据中心存储系统的理想选择。

关于RRAM

RRAM 提供用于MCU、SoC和FPGA的低迟滞、高性能、低功耗嵌入式存储器，面向低功耗和安全的物联网、可穿戴和平板电脑、消费电子、工业和汽车电子市场。Crossbar技术能够实现极高密度的存储解决方案，包括：

• 在单芯片上实现太字节（terabyte）存储
• 比DRAM高40倍的密度，并具备最高的性能和可靠性
• 100倍更快的读取速度
• 比NAND快1,000倍的写入速度
• 比NAND高1,000倍的耐久性
• 支持高温环境，可用于数据中心和移动设备

Crossbar技术应用：

• 消费电子、手机、平板电脑 — 将你所有个人娱乐、数据、照片和信息存储到口袋大小的设备中。提供快速存储，回放，备份和归档。
• 企业存储、SSD和云计算 — 拓展SSD的可靠性和容量。提升企业、数据中心和云存储系统的性能。
• 物联网；工业互联网 — 为工业和连接应用程序，诸如智能电表和恒温器提供长达数年的电池寿命。拥有较大温度范围，使其能在极端炎热的夏天和寒冷的冬天保持稳定。支持全新、高集成的SoC，可由纽扣电池供电或通过太阳能、热能以及简单震动获取电能。
• 可穿戴计算 — 支持新一代可穿戴计算，能在非常紧凑的尺寸和低功耗情况下，实现高容量存储。
• 安全支付 — 能够永久存储安全应用所需的密码和加密密钥，覆盖从大容量智能卡，到用于非接触支付的高端移动处理器。

Crossbar的全球投资者包括：Artiman、Correlation Ventures、凯鹏华盈（KPCB）、Tyche Partners、TAO Capital Partners、密歇根大学；在中国投资者包括： CBC宽带资本、元禾控股、北极光创投、赛富和Korea Investment Partners Co., Ltd。